Modèle TWBT-X-S 0.01-4.2GHz 5W

TWBT-X-S Bias Tee fournit un courant de polarisation CC et un signal RF via un réseau de polarisation.

Les caractéristiques comprennent une réponse en fréquence de petite taille, légère et plate, il est utilisé dans une zone de mesure hyperfréquences telle qu'un amplificateur, un atténuateur programmable et un circuit de commutation, etc.

SPECIFICATIONS  MECANIQUE                   

      

Connecteurs

Male Pin

Femelle Pin

boitier

Température

Dimensions

Brass Gold Plated

Brass Gold Plated

Beryllium Copper Gold Plated

Aluminum, Anodic Oxidation

-40°C~+65°C

S:52×39.5×15.5mm

SC:52×38×15.5mm

SPECIFICATIONS  ELECTRIQUE 

 

 

Model Number

FrequencyRange(GHz)

VSWR

Insertion Loss(dB)

Interface

TWBT-3-S

0.01-3

≤1.20

≤1.0

RF IN SMA(J)     RF+DC OUT SMA(K)     DC IN SMA(K)

TWBT-4.2-S

0.01-4.2

≤1.25

≤1.25

TWBT-3-SC

0.01-3

≤1.20

≤1.0

RF IN SMA(J)     RF+DC OUT SMA(K)     DC IN (Capacitance)

TWBT-4.2-SC

0.01-4.2

≤1.25

≤1.25

 

NOMINAL IMPEDANCE: 50Ω
RF POWER: ≤5W
BIAS VOLTAGE: ≤72V
BIAS CURRENT: ≤1.5A



Notes:
1. Dimensions Tolerance ±2%

For more information: contact us

Modèle TWBT-X-N 0.01-4.2GHz 5W

Le té biaisé TWBT-X-N fournit à la fois un courant de polarisation CC et un signal RF via un réseau de polarisation.

Les caractéristiques comprennent une réponse en fréquence de petite taille, légère et plate, il est utilisé dans une zone de mesure à hyperfréquences telle qu'un amplificateur, un atténuateur programmable et un circuit de commutation, etc.

SPECIFICATIONS  MECANIQUE                 

 

Connectur

Male Pin

Femelle Pin

boitier

Température

Dimensions

Brass Gold Plated

Brass Gold Plated

Beryllium Copper Gold Plated

Aluminum, Anodic Oxidation

-40°C~+65°C

N:74×50×20mm

NC:74×40×20mm

 

SPECIFICATIONS ELECTRIQUE

Model Number

FrequencyRange(GHz)

VSWR

Insertion Loss(dB)

Interface

TWBT-3-N

0.01-3

≤1.20

≤1.0

RF IN SMA(J)     RF+DC OUT SMA(K)     DC IN SMA(K)

TWBT-4.2-N

0.01-4.2

≤1.25

≤1.25

TWBT-3-NC

0.01-3

≤1.20

≤1.0

RF IN SMA(J)     RF+DC OUT SMA(K)     DC IN (Capacitance)

TWBT-4.2-NC

0.01-4.2

≤1.25

≤1.25


NOMINAL IMPEDANCE: 50Ω
RF POWER: ≤5W
BIAS VOLTAGE: ≤72V
BIAS CURRENT: ≤1.5A

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News & Events

TECHNIWAVE sera présent au  SALON INTERNATIONAL DE L'AERONAUTIQUE ET DE L'ESPACE

17 -23 Juin 2019

Paris - Le Bourget

TECHNIWAVE a été sélectionné avec succès pour un projet collaboratif comprenant des entreprises et des centres de recherche de premier plan, tels que III-V lab, XLIM, EGIDE, CNRS, UMS, etc., pour un programme de 3 ans (VeGaN) dédié aux communications en bandes Ka, Q et E utilisant des technologies GaN avancées.

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